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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
漏源电压：150V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：2.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：450pF@25V
类型：N沟道
功率：2.4W
漏源电压：60V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7A
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFM120ATF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
