采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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