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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB150CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N750CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB150CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N750CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.8A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.75Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
