采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R660CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"16+"：15500，"21+"：450，"9999"：483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R660CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R600P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10500，"16+"：15500，"21+"：450，"9999"：483}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R660CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R065C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@17.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：14277，"16+"：240，"19+"：445}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R660CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
