品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:2.1W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4800N15CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
功率:2.1W
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:480mΩ@1.1A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:332pF@10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@50V
连续漏极电流:58.8A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18537NQ5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1402pF@40V
连续漏极电流:12A€45.1A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1402pF@40V
连续漏极电流:12A€45.1A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6294
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2265pF@50V
连续漏极电流:17A€52A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: