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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€90W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：15A€70A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€90W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：15A€70A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€90W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：15A€70A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€90W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：15A€70A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€90W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：15A€70A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2325ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：840mA
类型：P沟道
导通电阻：1.77Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€90W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@15V
连续漏极电流：15A€70A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
