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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84WT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
