采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4822A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4818B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4822A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4818B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4818B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4822A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
