品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4294
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@50V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4294
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@50V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4294
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@50V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4294
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@50V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4294
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@50V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3040pF@50V
连续漏极电流:13.6A€51.4A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.4W€29W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:6.8A€20A
类型:N沟道
导通电阻:30.4Ω@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@50V
连续漏极电流:7.2A€23.5A
类型:N沟道
导通电阻:29.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: