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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：NEXPERIA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
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连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
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输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
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功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
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输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
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功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@6V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4153EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：151nC@4.5V
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导通电阻：8.32mΩ@14A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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