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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5380pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5380pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5380pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50P06-15L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5380pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50P06-15L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR470DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5660pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-09L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6675pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
