首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    行业应用
    阈值电压
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    行业应用: 工业
    阈值电压: 2.5V@250µA
    栅极电荷: 70nC@10V
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2146

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3830pF@20V

    连续漏极电流:34.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订1250个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订1250个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2146

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3830pF@20V

    连续漏极电流:34.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2146

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3830pF@20V

    连续漏极电流:34.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订1个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订1个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2146 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2146

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3830pF@20V

    连续漏极电流:34.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧