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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2302
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：335mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2302
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1440EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：335mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2309ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
