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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A€9.5A

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:27W€27W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:15nC@10V

    导通电阻:45mΩ@6A,10V;146mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    输入电容:7350pF@25V

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:27W

    导通电阻:92mΩ

    连续漏极电流:11A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    功率:71W

    输入电容:2100pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ990EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V€650pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:34A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    栅极电荷:8nC@10V

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD70140EL_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    功率:71W

    输入电容:2100pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    功率:3.8W€8.4W

    栅极电荷:95nC@10V

    连续漏极电流:12A€17A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:140nC@10V

    功率:6.25W€125W

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3

    输入电容:5540pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:-38A

    漏源电压:-100V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    栅极电荷:144nC@10V

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    导通电阻:40mΩ@8.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    功率:187W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:2832pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056ADY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4056ADY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4056ADY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@50V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:2.5W€5W

    连续漏极电流:5.9A€8.3A

    导通电阻:29.2mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P-Channel

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD09P10-195-GE3

    导通电阻:195mΩ@3.6A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    功率:2.5W€32.1W

    栅极电荷:34.8nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:1055pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    输入电容:2286pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:51nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    输入电容:7000pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:190nC@10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM70060EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM70060EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3

    栅极电荷:100nC@10V

    功率:166W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:5.9mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ410EL-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ410EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    输入电容:7350pF@25V

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    栅极电荷:150nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    功率:187W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:2832pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD09P10-195-GE3

    导通电阻:195mΩ@3.6A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    功率:2.5W€32.1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.8nC@10V

    漏源电压:100V

    输入电容:1055pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    输入电容:700pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_BE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_BE3

    功率:83W

    输入电容:978pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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