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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482ENW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482ENW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS482ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1865pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1865pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1865pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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