采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB25ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB25ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
功率：2.1W
栅极电荷：17nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：879pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
导通电阻：60mΩ@3A，10V
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：560pF@15V
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4463AP-AU_R2_000A1
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
功率：2.1W
栅极电荷：17nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：879pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
