品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@75V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: