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    行业应用: 工业
    阈值电压: 2.8V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8030

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:34
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7288DP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7288DP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8030

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8030

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7288DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7288DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7288DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7288DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7288DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:23+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:23+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4892 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4892

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8030

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8030

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8030

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR770DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR770DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR770DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:17.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3190LDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3190LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:190mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    加购:5
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