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    行业应用: 工业
    栅极电荷: 113 nC @ 10 V
    当前匹配商品:7
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    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH52N50P2 起订60个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH52N50P2 起订60个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N50P2

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:960W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 4mA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:6800 pF @ 25 V

    连续漏极电流:52A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH52N50P2 起订100个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH52N50P2 起订100个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N50P2

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:960W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 4mA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:6800 pF @ 25 V

    连续漏极电流:52A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH52N50P2 起订1个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 IXFH52N50P2 起订1个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N50P2

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:960W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 4mA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:6800 pF @ 25 V

    连续漏极电流:52A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295 pF @ 50 V

    连续漏极电流:200A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295 pF @ 50 V

    连续漏极电流:200A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295 pF @ 50 V

    连续漏极电流:200A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0300N1007L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0300N1007L

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),250W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:113 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8295 pF @ 50 V

    连续漏极电流:200A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3 毫欧 @ 26A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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