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    行业应用: 工业
    栅极电荷: 42nC@10V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:50+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3569(STA4,X,M) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3569(STA4,X,M) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.5nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:180pF@25V

    导通电阻:540mΩ@10V,5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G70P04K 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G70P04K 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G70P04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:4.714nF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:456pF@20V

    导通电阻:7mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@1.037mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2.1nF@50V

    连续漏极电流:2.1A€3.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@10V,2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@1.037mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2.1nF@50V

    连续漏极电流:2.1A€3.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@10V,2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT12N65F 起订10个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT12N65F 起订10个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT12N65F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.48nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF@25V

    导通电阻:750mΩ@10V,6A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26P04K 起订24个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26P04K 起订24个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26P04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:26A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@1.037mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2.1nF@50V

    连续漏极电流:2.1A€3.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@10V,2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@1.037mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2.1nF@50V

    连续漏极电流:2.1A€3.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@10V,2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP16DP10LMXTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP16DP10LMXTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@1.037mA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2.1nF@50V

    连续漏极电流:2.1A€3.9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@10V,2.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G26P04K 起订25个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G26P04K 起订25个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G26P04K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:26A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT2514J 起订64个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT2514J 起订64个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT2514J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:170pF@10V

    导通电阻:8mΩ@4.5V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT12N65F 起订100个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT12N65F 起订100个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT12N65F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:51W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.48nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF@25V

    导通电阻:750mΩ@10V,6A

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G70P04K 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G70P04K 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G70P04K

    阈值电压:1.4V@250μA

    功率:156W

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:70A

    输入电容:4.714nF@20V

    导通电阻:7mΩ

    栅极电荷:42nC@10V

    反向传输电容:456pF@20V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    功率:104W

    栅极电荷:42nC@10V

    漏源电压:120V

    反向传输电容:5.8pF@60V

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:3.365nF@60V

    阈值电压:4V@260μA

    连续漏极电流:93A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT10N70F 起订500个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT10N70F 起订500个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT10N70F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.4nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10.4pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,5A

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT2914J 起订100个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT2914J 起订100个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT2914J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.255nF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:168pF@10V

    导通电阻:8mΩ@4.5V,4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS006N12MCT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS006N12MCT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@260μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.365nF@60V

    连续漏极电流:93A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5.8pF@60V

    导通电阻:5mΩ@10V,46A

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT10N70F 起订50个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT10N70F 起订50个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT10N70F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.4nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10.4pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,5A

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT10N70F 起订9个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT10N70F 起订9个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT10N70F

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:1.4nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10.4pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,5A

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MOT Mosfet场效应管 MOT2514J 起订66个装
    MOT Mosfet场效应管 MOT2514J 起订66个装

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT2514J

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:42nC@10V

    输入电容:2nF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:170pF@10V

    导通电阻:8mΩ@4.5V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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