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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
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栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
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类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
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连续漏极电流：1.25A（Ta）
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导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
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类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
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类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
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ECCN：EAR99
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类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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类型：N 通道
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栅极电荷：7 nC @ 10 V
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类型：N 通道
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类型：N 通道
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栅极电荷：7 nC @ 10 V
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输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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栅极电荷：7 nC @ 10 V
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输入电容：361 pF @ 30 V
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类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
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类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
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类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
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类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
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类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
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销售单位：个
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功率：2.2W（Ta）
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MMFTP5618
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：500mW（Ta）
栅极电荷：7 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
输入电容：361 pF @ 30 V
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