品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D16-20X
工作温度:-55℃~+175℃
功率:19W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:16mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":34400,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":795,"21+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":774,"20+":14550,"MI+":1383}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4IBC10UDPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):27A
关断延迟时间:87ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:120µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.7A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2Ω
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":774,"20+":14550,"MI+":1383}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4IBC10UDPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):27A
关断延迟时间:87ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:120µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":774,"20+":14550,"MI+":1383}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4IBC10UDPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):27A
关断延迟时间:87ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:120µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN4832
功率:20W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:15nC
输入电容:750pF
连续漏极电流:35A
类型:2个N沟道
反向传输电容:70pF
导通电阻:11mΩ@10V,8.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"10+":1248,"13+":1734}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4RC10UTRPBF
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):34A
关断延迟时间:116ns
关断损耗:160µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:80µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC097N06NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:46A
类型:MOSFET
导通电阻:8mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.7A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2Ω
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03LS G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:1V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:39A
类型:MOSFET
导通电阻:10mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.7A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2Ω
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":774,"20+":14550,"MI+":1383}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4IBC10UDPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):27A
关断延迟时间:87ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:120µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"10+":1248,"13+":1734}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4RC10UTRPBF
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):34A
关断延迟时间:116ns
关断损耗:160µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:80µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":34400,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":795,"21+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D16-20X
工作温度:-55℃~+175℃
功率:19W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:16mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":34400,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":774,"20+":14550,"MI+":1383}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRG4IBC10UDPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):27A
关断延迟时间:87ns
反向恢复时间:28ns
关断损耗:120µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,5A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D16-20X
工作温度:-55℃~+175℃
功率:19W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:16mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.7A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2Ω
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D16-20X
工作温度:-55℃~+175℃
功率:19W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:16mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK4D16-20X
工作温度:-55℃~+175℃
功率:19W
阈值电压:1.3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:26A
类型:MOSFET
导通电阻:16mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":34400,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.7A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2Ω
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":34400,"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB3040CS
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:4.7µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:15nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: