品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7516
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1229pF@15V
连续漏极电流:20A€30A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2490}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":248}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8888
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1585pF@15V
连续漏极电流:13.5A€21A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD516
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1229pF@15V
连续漏极电流:18A€46A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0501NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7516
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1229pF@15V
连续漏极电流:20A€30A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3410DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7516
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1229pF@15V
连续漏极电流:20A€30A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7516
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1229pF@15V
连续漏极电流:20A€30A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: