采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J374R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.8A€9.4A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.8A€9.4A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.8A€9.4A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3410，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.8A€9.4A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：71mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.8A€9.4A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：219pF@30V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86244
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€26W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.8A€9.4A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
