采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP3HF60HD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3 G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：3V
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：36mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N03LS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：5.2mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP3HF60HD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP3HF60HD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：1391}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGB4B60KPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：24A
关断延迟时间：100ns
关断损耗：83µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，4A
导通损耗：130µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP3HF60HD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Bulk
连续漏极电流：5.1A
类型：MOSFET
导通电阻：500mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K33HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：48mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC360N15NS3 G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：3V
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：36mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H860NLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N03LS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：5.2mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：74400，"18+"：2000，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD3HF60HDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP3HF60HD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：12µJ
开启延迟时间：11ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：2.95V@15V，1.5A
导通损耗：19µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N03LS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：12nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：5.2mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：74400，"18+"：2000，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL9V2040D3ST
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：3.64µs
集电极截止电流(Ices)：430V
栅极电荷：12nC
集电极电流(Ic)：1.9V@4V，6A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
