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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：54340，"15+"：11，"16+"：349，"9999"：600，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4198FS
工作温度：150℃
功率：2W€30W
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.34Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@218µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF2955T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
