采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：42807，"15+"：76107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：417mW
阈值电压：680mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@9.6V
连续漏极电流：750mA
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16412Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@12.5V
连续漏极电流：14A€52A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2046U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
