品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":100,"05+":181600,"08+":346,"11+":1000,"12+":47030,"15+":5000,"9999":20,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":100,"05+":181600,"08+":346,"11+":1000,"12+":47030,"15+":5000,"9999":20,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ160N20TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ160N20TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCJ160N20TL
工作温度:150℃
功率:1.56W€40W
阈值电压:5.25V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":603}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX160N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD18N20V2TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF18N20FT-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: