品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R1K0CEXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.99W€55.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@20V
连续漏极电流:14.4A€64.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.06W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1500,"16+":1480,"9999":398}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS65R1K0CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2817,"18+":487048,"9999":35}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS65R950C6AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":11654}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW70R950CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":10500,"20+":8000,"22+":1550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R280PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS70R950CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":25279,"17+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPSA70R950CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":11654}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAW70R950CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.06W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":10500,"20+":8000,"22+":1550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R280PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.99W€55.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@20V
连续漏极电流:14.4A€64.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS70DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@62.5V
连续漏极电流:8.5A€31A
类型:N沟道
导通电阻:29.8mΩ@8.5A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFDFW-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.06W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@30V
连续漏极电流:9.4A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€17.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: