品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJP08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.62Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJP08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.62Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:474pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP602-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}
包装规格(MPQ):82psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2
功率:27.7W
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:440mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: