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    行业应用: 工业
    栅极电荷: 13.6nC@10V
    当前匹配商品:60+
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    MCC Mosfet场效应管 MSJP08N90A-BP 起订50个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJP08N90A-BP 起订50个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJP08N90A-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.62Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT616MLSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订465个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订465个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:11W€900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT616MLSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT616MLSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJP08N90A-BP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJP08N90A-BP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJP08N90A-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.62Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT616MLSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订98个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订98个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:11W€900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF08N90A-BP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF08N90A-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT616MLSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT616MLSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:13.6nC@10V

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP602-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":63000,"17+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP602-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:70W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:11W€900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK60S3DPP-E0#T2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":61000,"32+":39000,"MI+":29813}

    包装规格(MPQ):82psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK60S3DPP-E0#T2

    功率:27.7W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:440mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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