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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON7508
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功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON7508
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功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
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功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
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功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON7508
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功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
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栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
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规格型号(MPN)：AON7508
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功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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栅极电荷：40nC@10V
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输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON7508
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功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7508
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1835pF@15V
连续漏极电流：26A€32A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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