采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB90N04S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDFKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDAFKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM025NB04CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6670pF@20V
连续漏极电流：24A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A€8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK761R7-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：324W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9700pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
输入电容：5160pF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R110CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.7W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW68N65DM6-4AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：480W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：118nC@10V
输入电容：5.9nF@100V
连续漏极电流：72A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@36A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW70N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@34A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC007N04LS6SCATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@20V
连续漏极电流：48A€381A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@95µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9430pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：740}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFDXKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：277.8W
阈值电压：4.5V@1.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@100V
连续漏极电流：31.2A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS015N04B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8725pF@20V
连续漏极电流：31.3A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
