采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17505Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2315ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24748}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17505Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：21549，"23+"：18194}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1415，"09+"：1425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2315ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@4V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17505Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZL025P01TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2500，"08+"：188500，"09+"：2200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZL025P01TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN48XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€6.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17505Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：48500，"07+"：37500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR025P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
