采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3461_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3461_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3461_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250SQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
