采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6795MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1300，"20+"：2757}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6795MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6795MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1300，"20+"：2757}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6795MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3121，"23+"：4423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8302MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€104W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6030pF@15V
连续漏极电流：31A€190A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3121，"23+"：4423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8302MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€104W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6030pF@15V
连续漏极电流：31A€190A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8302MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€104W
阈值电压：2.35V@150µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6030pF@15V
连续漏极电流：31A€190A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7407
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€29W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4195pF@10V
连续漏极电流：14.5A€40A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1300，"20+"：2757}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6795MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6795MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@13V
连续漏极电流：32A€160A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@32A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
