采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€24W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：9.8A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA106DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10A€12A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA106DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10A€12A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA106DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10A€12A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA106DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10A€12A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA106DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10A€12A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€24W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：9.8A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€24W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：9.8A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA106DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10A€12A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4606DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€31.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：10.5A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS106DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€24W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：9.8A€16A
类型：N沟道
导通电阻：18.5mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
