采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：20，"15+"：25，"18+"：16700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4072DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：144ns
反向恢复时间：122ns
关断损耗：838µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：300V
栅极电荷：73nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，40A
导通损耗：409µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：123，"22+"：351，"23+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA40S65SH
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：68.8ns
关断损耗：388µJ
开启延迟时间：19.2ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：73nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A
导通损耗：194µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：20，"15+"：25，"18+"：16700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4072DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：144ns
反向恢复时间：122ns
关断损耗：838µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：300V
栅极电荷：73nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，40A
导通损耗：409µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：20，"15+"：25，"18+"：16700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4072DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：144ns
反向恢复时间：122ns
关断损耗：838µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：300V
栅极电荷：73nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，40A
导通损耗：409µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：20，"15+"：25，"18+"：16700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4072DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：144ns
反向恢复时间：122ns
关断损耗：838µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：300V
栅极电荷：73nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，40A
导通损耗：409µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：123，"22+"：351，"23+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA40S65SH
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：68.8ns
关断损耗：388µJ
开启延迟时间：19.2ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：73nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A
导通损耗：194µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：20，"15+"：25，"18+"：16700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGP4072DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：144ns
反向恢复时间：122ns
关断损耗：838µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：300V
栅极电荷：73nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，40A
导通损耗：409µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTL35N65G2V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：417W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTL35N65G2V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：417W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：600psc
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
连续漏极电流：45A
功率：240W
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+200℃
导通电阻：67mΩ
阈值电压：5V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8680
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V
栅极电荷：73nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：16A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：123，"22+"：351，"23+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA40S65SH
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：68.8ns
关断损耗：388µJ
开启延迟时间：19.2ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：73nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A
导通损耗：194µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8680
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V
栅极电荷：73nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：16A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA40S65SH
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：68.8ns
关断损耗：388µJ
开启延迟时间：19.2ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：73nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A
导通损耗：194µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
工作温度：-55℃~+200℃
功率：240W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：45A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGA40S65SH
导通损耗：194µJ
栅极电荷：73nC
类型：沟槽型场截止
集电极脉冲电流(Icm)：120A
工作温度：-55℃ ~ 175℃
关断损耗：388µJ
集电极截止电流(Ices)：650V
集电极电流(Ic)：1.81V@15V，40A
开启延迟时间：19.2ns
包装方式：管件
关断延迟时间：68.8ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：600psc
规格型号(MPN)：SCTWA35N65G2V-4
连续漏极电流：45A
功率：240W
栅极电荷：73nC
包装方式：Tube
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+200℃
导通电阻：67mΩ
阈值电压：5V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
