采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R280P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@5.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R280P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@430µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@5.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R280P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@430µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@5.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN6R2-25QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€40.3W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25.5nC@10V
输入电容：1.2nF@12.5V
连续漏极电流：13.1A€65A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.2mΩ@13.1A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：150，"22+"：2000，"23+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R280P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@5.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R280P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@5.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：12.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：12.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：150，"22+"：2000，"23+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R280P6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@5.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：12.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：12.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP100N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2690pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@20V
连续漏极电流：12.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：16.2A€40.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
