采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RK7002AT116
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN120ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：670mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK003N06T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5124PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：176pF@25V
连续漏极电流：620mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@620mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
