采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：120}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW30N60H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：6000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGA30N60H3XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.17mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IHW15N120R3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：45A
关断延迟时间：300ns
关断损耗：700µJ
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：165nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，15A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGP30N60H3XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.17mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGB30N60H3ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.17mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGB30N60H3ATMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.17mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGB30N60H3ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.17mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKFW90N65ES5XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.75V@15V，75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：0.99mJ
开启延迟时间：42ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：165nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKFW90N65ES5XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.75V@15V，75A
关断延迟时间：151ns
反向恢复时间：89ns
关断损耗：0.99mJ
开启延迟时间：42ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：165nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IGB30N60H3ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
关断损耗：1.17mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW30N60H3FKSA1
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW30N60H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKW30N60H3FKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：120A
关断延迟时间：207ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：1.38mJ
开启延迟时间：21ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：165nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，30A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
