品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI07114
工作温度:150℃
功率:116W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@31.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1134}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N08S2-22
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
阈值电压:4V@80µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
阈值电压:4V@80µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
栅极电荷:57nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:3.1W€77W
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":1134}
规格型号(MPN):SPD30N08S2-22
阈值电压:4V@80µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:21.5mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
阈值电压:4V@80µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:57nC@10V
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1134}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N08S2-22
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1134}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30N08S2-22
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: