包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N50DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:84mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60M6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2578pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@19.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW48N60M6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2578pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@19.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP40N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: