品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ136ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8015pF@25V
连续漏极电流:350A
类型:N沟道
导通电阻:1.12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€100W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@20V
连续漏极电流:54.8A€219A
类型:N沟道
导通电阻:1.04mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@24A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: