采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：957，"15+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R7-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA72N30X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@36A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：1136，"22+"：3200，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6607-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：47A€310A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4728}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6507-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP057N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D0N12C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€106W
阈值电压：4V@370A
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6460pF@60V
连续漏极电流：18.5A€114A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@67A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：41A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6607-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA45N65M5
工作温度：150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：47A€310A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1400，"19+"：12879，"9999"：484}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E4R6-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB072N65S3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@400V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@24A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLH5034TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.5V@150µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH72N30X3
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.5V@1.5mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@36A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5SCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：47A€310A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C302NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€115W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5780pF@15V
连续漏极电流：43A€241A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：1413}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB054N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@58µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
