采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2308BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5802TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@540mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5802TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@540mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT280ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：37，"19+"：16559，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN70R900P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：17.9W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：759}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP88H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.4V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@350mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5802TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@540mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN70R900P7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：37，"19+"：16559，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN70R900P7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：17.9W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R900P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：30.5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：211pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5802TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@540mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
