品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":12645,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
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输入电容:2630pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: