采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50NS65DGTL
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50TS65DGC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，25A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP114N12N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：3V
栅极电荷：49nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：75A
类型：MOSFET
导通电阻：11.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50NL65DGTL
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50NL65DGTL
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50TM65DGC9
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50TM65DGC9
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TK65GC11
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
关断延迟时间：94ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TK65DGC11
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
关断延迟时间：94ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，25A
关断延迟时间：94ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50NL65DGTL
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50TS65DGC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，25A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TK65DGC11
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
关断延迟时间：94ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGSCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：49nC
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TS65DGC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，25A
关断延迟时间：94ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TK65GC11
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
关断延迟时间：94ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107W
阈值电压：2V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：56A
类型：MOSFET
导通电阻：12.3mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE030N06NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：49nC
连续漏极电流：21A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50NL65DGTL
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50TM65DGC9
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGS23N60UFDTU
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：92A
关断延迟时间：60ns
反向恢复时间：60ns
关断损耗：135µJ
开启延迟时间：17ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：49nC
集电极电流(Ic)：2.6V@15V，12A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGT50NL65DGTL
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：88ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGTH50TS65DGC11
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
关断延迟时间：94ns
反向恢复时间：58ns
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：49nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，25A
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB144N12N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107W
阈值电压：2V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：56A
类型：MOSFET
导通电阻：12.3mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
