品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6G120BGTB1
工作温度:150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4240pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.34mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: