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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6G120BGTB1
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
