品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC2512-P
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@75V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:425mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7640S2TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€30W
阈值电压:5V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:5.8A€21A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86105
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:645pF@50V
连续漏极电流:6A€26A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N40K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@120µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@12µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR014TRLPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3099LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.08W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN30008NH,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€27W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@40V
连续漏极电流:9.6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4.8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@15V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN30008NH,LQ
工作温度:150℃
功率:700mW€27W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@40V
连续漏极电流:9.6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4.8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: