采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：3200，"04+"：16828}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB27N06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：88.2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@13.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB04N03LAT
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2V@60µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3877pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD14AN06LA0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：9.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB04N03LAT
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2V@60µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3877pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD14AN06LA0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：9.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA414DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1851}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06L-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：836}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI04N03LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：管件
输入电容：3877pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@55A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9212-55B，118
工作温度：-55℃~185℃
功率：167W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3519pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
